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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
66
左右 42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
66
读取速度,GB/s
13.9
15.9
写入速度,GB/s
8.7
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
1877
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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