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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.4
14.5
写入速度,GB/s
7.8
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3269
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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