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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.4
19.6
写入速度,GB/s
7.8
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3432
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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