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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.4
14.7
写入速度,GB/s
7.8
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2597
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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