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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.4
14.8
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2665
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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