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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
47
读取速度,GB/s
13.4
11.1
写入速度,GB/s
7.8
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
1967
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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