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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.4
14.7
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2698
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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