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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

总分
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 32
    左右 19% 更低的延时
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 4.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    4.6 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1560 left arrow 3364

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM的比较

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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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