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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
26
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.2
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
16
读取速度,GB/s
9.8
22.3
写入速度,GB/s
4.6
21.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
3952
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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