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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
9.8
15.3
写入速度,GB/s
4.6
11.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
2962
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
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