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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
53
读取速度,GB/s
9.8
20.0
写入速度,GB/s
4.6
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
2366
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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