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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
21.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
49
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
18
读取速度,GB/s
5,135.8
21.2
写入速度,GB/s
2,343.1
17.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3663
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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