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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.7
14.6
写入速度,GB/s
8.0
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2457
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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