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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905630-007.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
14.2
写入速度,GB/s
10.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2387
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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