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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
5,135.8
15.8
写入速度,GB/s
2,343.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2994
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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