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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
5,135.8
17.9
写入速度,GB/s
2,343.1
15.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3567
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
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