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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
5,135.8
15.1
写入速度,GB/s
2,343.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2914
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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