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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.5
16.5
写入速度,GB/s
8.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3158
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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