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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3158
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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