RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
3158
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5471-038.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link