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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Inmos + 256MB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Inmos + 256MB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
6400
左右 2.63 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
5,135.8
11.5
写入速度,GB/s
2,343.1
9.1
内存带宽,mbps
6400
16800
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
843
2318
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F26UB16GH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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