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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
5,135.8
15.5
写入速度,GB/s
2,343.1
9.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2496
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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