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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
41
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
19
读取速度,GB/s
10.1
19.9
写入速度,GB/s
7.1
18.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3691
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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