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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
1900
左右 3.37% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
49
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,343.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
45
读取速度,GB/s
5,135.8
11.7
写入速度,GB/s
2,343.1
8.4
内存带宽,mbps
6400
1900
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
843
2387
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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