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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
5,135.8
10.4
写入速度,GB/s
2,343.1
7.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2230
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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