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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
13.6
15.0
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
2653
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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