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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.6
11.7
写入速度,GB/s
7.8
6.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
1901
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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