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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
13.6
18.1
写入速度,GB/s
7.8
14.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
3596
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
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