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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
14.0
15.2
写入速度,GB/s
8.5
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3150
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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