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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.1
15.7
写入速度,GB/s
7.7
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
2845
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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