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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
75
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
75
读取速度,GB/s
11.7
14.5
写入速度,GB/s
7.2
7.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1735
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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