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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
14.0
18.1
写入速度,GB/s
8.5
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3010
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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