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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
14.0
19.0
写入速度,GB/s
8.5
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3695
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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