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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
14.0
18.2
写入速度,GB/s
8.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3650
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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