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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
比较
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
总分
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
56
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,501.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
34
读取速度,GB/s
3,161.0
16.5
写入速度,GB/s
1,501.2
13.5
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
381
3199
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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