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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
56
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
3199
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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