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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
56
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
13.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
3199
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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