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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
69
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
69
读取速度,GB/s
14.0
15.7
写入速度,GB/s
8.5
7.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1831
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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