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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
14.0
22.2
写入速度,GB/s
8.5
17.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3938
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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