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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
14.0
18.7
写入速度,GB/s
8.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3437
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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