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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Kingston HX432C15PB3/16 16GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
46
读取速度,GB/s
14.0
14.6
写入速度,GB/s
8.5
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2828
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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