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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
14.4
15.4
写入速度,GB/s
9.6
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2635
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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