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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.7
18.0
写入速度,GB/s
7.5
14.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3330
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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