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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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考慮すべき理由
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
28
周辺 -27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
22
読み出し速度、GB/s
12.7
18.0
書き込み速度、GB/秒
7.5
14.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
3330
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
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Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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