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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
44
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
44
读取速度,GB/s
14.0
16.6
写入速度,GB/s
8.5
14.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3146
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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