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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
21
读取速度,GB/s
13.3
17.9
写入速度,GB/s
8.5
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3167
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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