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PNY Electronics PNY 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
48
读取速度,GB/s
13.8
12.0
写入速度,GB/s
8.4
7.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2324
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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