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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
60
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
4.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
60
读取速度,GB/s
14.0
6.4
写入速度,GB/s
8.5
4.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1400
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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