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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
14.0
13.4
写入速度,GB/s
8.5
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2825
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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