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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
32
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
32
读取速度,GB/s
17.8
19.1
写入速度,GB/s
10.0
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
3618
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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